SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟
林鸿溢; 武旭辉; 何宇亮; 褚一鸣
1996
Source Publication物理学报
Volume45Issue:4Pages:655
Abstract在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜,利用高分辨率电子显微镜(HREM),Raman散射谱(RSS),扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限制凝聚模型.其结果与实验符合得很好.
metadata_83北京理工大学电子工程系;北京航空航天大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:339946
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19545
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
林鸿溢,武旭辉,何宇亮,等. 纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟[J]. 物理学报,1996,45(4):655.
APA 林鸿溢,武旭辉,何宇亮,&褚一鸣.(1996).纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟.物理学报,45(4),655.
MLA 林鸿溢,et al."纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟".物理学报 45.4(1996):655.
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