SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究
牛智川; 黎健
1996
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume16Issue:2Pages:133
Abstract采用低温荧光光谱测试方法,研究了MBE生长的轻掺硅GaAs材料的杂质特性,并结合Hall测量结果,讨论了MBE关键生长条件V/II束流比等对Si在GaAs中掺杂特性的影响,研究表明掺杂元素Si在GaAs中起两性(施主或受主)杂质作用,适当提高V/II束流比可以抑制Si的自补偿效应,从而减小载流子的补偿度,进一步提高迁移率。通过优化生长条件,本实验已获得了杂质浓度小于10~(13) cm~(-3),77 K下迁移率大于1.6 X 10~5cm~2/V.s的高纯、高迁移率GaAs材料。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:343305
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19537
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
牛智川,黎健. MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究[J]. 固体电子学研究与进展,1996,16(2):133.
APA 牛智川,&黎健.(1996).MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究.固体电子学研究与进展,16(2),133.
MLA 牛智川,et al."MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究".固体电子学研究与进展 16.2(1996):133.
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