InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）
	续竞存
	1996
Source Publication	固体电子学研究与进展
Volume	16 Issue:3 Pages:254
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19535
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	续竞存. InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）[J]. 固体电子学研究与进展,1996,16(3):254.
APA	续竞存.(1996).InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）.固体电子学研究与进展,16(3),254.
MLA	续竞存."InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）".固体电子学研究与进展 16.3(1996):254.

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