SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MPS结构中的光生伏特现象
王燕; 云峰; 廖显伯; 孔光临
1996
Source Publication物理学报
Volume45Issue:10Pages:1615
Abstract报道了金属/多孔硅/结构(MPS)中光生伏特效应研究的最新结果,给出了该结构的光谱响应曲线,发现该结构在1100-350nm波长范围具有明显的光谱响应.还测量了开路电压随温度、光照波长及光照强度的变化关系,发现开路电压随温度的降低近似线性增加,其温度系数对于金/多孔硅结构约为2.0mV/K,对于铝/多孔硅结构约为2.8mV/K,与单晶硅及非晶硅太阳电池的温度系数相近,但MPS结构的开路电压随光强的增加不满足对数关系.结果表明,在MPS结构中金属/多孔硅肖特基结对光生伏特效应起了主要作用,而多孔硅/单晶硅异质结的作用是与此相反的.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:343923
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19533
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王燕,云峰,廖显伯,等. MPS结构中的光生伏特现象[J]. 物理学报,1996,45(10):1615.
APA 王燕,云峰,廖显伯,&孔光临.(1996).MPS结构中的光生伏特现象.物理学报,45(10),1615.
MLA 王燕,et al."MPS结构中的光生伏特现象".物理学报 45.10(1996):1615.
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