SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅薄膜中的量子点特征
何宇亮; 余明斌; 吕燕伍; 戎霭伦; 刘剑; 徐士杰; 罗克俭; 奚中和
1996
Source Publication自然科学进展
Volume6Issue:6Pages:700
Abstract从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3~6nm)具有量子点(Q.D)特征.在其 电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应.使用薄层(~20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其I-V及σ-V曲线上呈现出Coulomb台阶.对实验结果做了初步分析讨论.
metadata_83北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室;中科院半导体所;北京大学无线电电子系
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点、开放实验室基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:349534
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:13[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19529
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
何宇亮,余明斌,吕燕伍,等. 纳米硅薄膜中的量子点特征[J]. 自然科学进展,1996,6(6):700.
APA 何宇亮.,余明斌.,吕燕伍.,戎霭伦.,刘剑.,...&奚中和.(1996).纳米硅薄膜中的量子点特征.自然科学进展,6(6),700.
MLA 何宇亮,et al."纳米硅薄膜中的量子点特征".自然科学进展 6.6(1996):700.
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