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| 低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性 | |
陈诺夫; 何宏家; 王玉田 ; 林兰英
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| 1996 | |
| Source Publication | 中国科学. A辑， 数学
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| Volume | 26Issue:12Pages:1117 |
| Abstract | 对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析的实验研究,结果表明,低温分子束外延长的GaAs单晶中密度大约为10~(20)cm~(-3)的过量As原子,这些As原子主要以间隙原子对As的形式位于正常的As格点位置,使LTMBEGaAs单晶的晶格常数相对于SI-GaAs单晶衬底增加约为0.1%.高于300℃的退火即可命名使间隙原子对As_(2i)离解,使过量的As原子形成沉淀.随着退火温度的增加,As沉淀向外延层界面处集中.在外延层界面处As沉淀团与GaAs单晶形成的载流子耗尽区相互重叠,呈现出高阻特性,有效地抑制了FET的背栅和侧栅效应. |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:350817 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:1[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19523 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈诺夫,何宏家,王玉田,等. 低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性[J]. 中国科学. A辑， 数学,1996,26(12):1117. |
| APA | 陈诺夫,何宏家,王玉田,&林兰英.(1996).低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性.中国科学. A辑， 数学,26(12),1117. |
| MLA | 陈诺夫,et al."低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性".中国科学. A辑， 数学 26.12(1996):1117. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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