SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性
陈诺夫; 何宏家; 王玉田; 林兰英
1996
Source Publication中国科学. A辑, 数学
Volume26Issue:12Pages:1117
Abstract对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析的实验研究,结果表明,低温分子束外延长的GaAs单晶中密度大约为10~(20)cm~(-3)的过量As原子,这些As原子主要以间隙原子对As的形式位于正常的As格点位置,使LTMBEGaAs单晶的晶格常数相对于SI-GaAs单晶衬底增加约为0.1%.高于300℃的退火即可命名使间隙原子对As_(2i)离解,使过量的As原子形成沉淀.随着退火温度的增加,As沉淀向外延层界面处集中.在外延层界面处As沉淀团与GaAs单晶形成的载流子耗尽区相互重叠,呈现出高阻特性,有效地抑制了FET的背栅和侧栅效应.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:350817
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19523
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈诺夫,何宏家,王玉田,等. 低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性[J]. 中国科学. A辑, 数学,1996,26(12):1117.
APA 陈诺夫,何宏家,王玉田,&林兰英.(1996).低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性.中国科学. A辑, 数学,26(12),1117.
MLA 陈诺夫,et al."低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性".中国科学. A辑, 数学 26.12(1996):1117.
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