SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
提高Si基材料高效率发光途径的探索
王启明
1996
Source Publication物理学进展
Volume16Issue:1Pages:75
Abstract近来人们对发展硅基光电子学作出了很大的努力.众所周知,如同晶体管是微电子学的核心器件一样,发光器件将是光电子学的关键部件.然而由于硅属间接带隙材料,发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低三个多量级,因此如何在硅基材料系实现高效率发光,已成为发展硅基光电子学的重要课题,它吸收着国际上众多科学、工程家们的巨大兴趣.能带工程的应用可能将提供一条有望的途径.总结评述了近几年来在SiGe量子阱能带工程,Er~(3+)离子注入发光中心掺杂工程、直接带隙β-FeSi_2材料工程以及热电子跃迁发光带内子能级工程中所取得的重要进展.同时对其未来的发展提出了若干设想与展望.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:353378
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19519
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王启明. 提高Si基材料高效率发光途径的探索[J]. 物理学进展,1996,16(1):75.
APA 王启明.(1996).提高Si基材料高效率发光途径的探索.物理学进展,16(1),75.
MLA 王启明."提高Si基材料高效率发光途径的探索".物理学进展 16.1(1996):75.
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