SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应
周凯明; 李江; 李乙钢; 郭儒; 张光寅; 潘士宏; 李瑞钢; 朱战平; 梁基本
1997
Source Publication半导体学报
Volume18Issue:9Pages:654
Abstract研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质。测量了它的I-V特性;用电调制透射谱测量了电吸收和电折变,并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应;用二波混合的方法测量了它的光折变性质,对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。
metadata_83南开大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:358545
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19487
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周凯明,李江,李乙钢,等. 低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应[J]. 半导体学报,1997,18(9):654.
APA 周凯明.,李江.,李乙钢.,郭儒.,张光寅.,...&梁基本.(1997).低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应.半导体学报,18(9),654.
MLA 周凯明,et al."低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应".半导体学报 18.9(1997):654.
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