压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究
	王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平
	1997
Source Publication	半导体学报
Volume	18 Issue:9 Pages:660
metadata_83	中科院半导体所;中科院西安光学精密机械所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家863计划
Indexed By	CSCD
Language	英语
CSCD ID	CSCD:358546
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19485
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王晓亮,孙殿照,孔梅影,等. 压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究[J]. 半导体学报,1997,18(9):660.
APA	王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,&曾一平.(1997).压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究.半导体学报,18(9),660.
MLA	王晓亮,et al."压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究".半导体学报 18.9(1997):660.

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