SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型
张兴宏; 杨玉芬; 王占国
1997
Source Publication半导体学报
Volume18Issue:9Pages:682
Abstract首次建立了δ掺杂AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)的二维量子模型,这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性。根据这个模型,应用二维数值模拟方法和自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度,同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度,模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子阱中。详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:358550
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19483
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
张兴宏,杨玉芬,王占国. δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型[J]. 半导体学报,1997,18(9):682.
APA 张兴宏,杨玉芬,&王占国.(1997).δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型.半导体学报,18(9),682.
MLA 张兴宏,et al."δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型".半导体学报 18.9(1997):682.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5830.pdf(164KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[张兴宏]'s Articles
[杨玉芬]'s Articles
[王占国]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[张兴宏]'s Articles
[杨玉芬]'s Articles
[王占国]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[张兴宏]'s Articles
[杨玉芬]'s Articles
[王占国]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.