SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究
崔丽秋; 江德生; 张耀辉; 吴文刚; 刘伟; 宋春英; 李月霞; 孙宝权; 王若桢
1997
Source Publication半导体学报
Volume18Issue:8Pages:573
Abstract综述了有关新型的GaAs/AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作,双色探测器工作在3~5μm及8~12μm大气窗口波段范围,是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件,研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等。首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能级之间的光跃迁问题及光电子输运问题。
metadata_83中科院半导体所;北京师范大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization中科院院长基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:358556
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19481
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
崔丽秋,江德生,张耀辉,等. GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究[J]. 半导体学报,1997,18(8):573.
APA 崔丽秋.,江德生.,张耀辉.,吴文刚.,刘伟.,...&王若桢.(1997).GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究.半导体学报,18(8),573.
MLA 崔丽秋,et al."GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究".半导体学报 18.8(1997):573.
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