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用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布 | |
盛殊然; 孔光临; 廖显伯; 夏传钺; 郑怀德 | |
1997 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 18Issue:7Pages:513 |
Abstract | 提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应。实验发现,光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的。除了校准测试系统的相移频率特性外,还需考虑样品本射电阻、电容等参数的影响,否则会使隙态密度偏低1-2个数量级,经严格校准的光电流相移测试,a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰,可能是双占据悬挂键D~-中心引起的。光照引起浅态减小,深态增加,引起了隙态重新分布。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:358568 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19473 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 盛殊然,孔光临,廖显伯,等. 用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布[J]. 半导体学报,1997,18(7):513. |
APA | 盛殊然,孔光临,廖显伯,夏传钺,&郑怀德.(1997).用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布.半导体学报,18(7),513. |
MLA | 盛殊然,et al."用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布".半导体学报 18.7(1997):513. |
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