SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布
盛殊然; 孔光临; 廖显伯; 夏传钺; 郑怀德
1997
Source Publication半导体学报
Volume18Issue:7Pages:513
Abstract提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应。实验发现,光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的。除了校准测试系统的相移频率特性外,还需考虑样品本射电阻、电容等参数的影响,否则会使隙态密度偏低1-2个数量级,经严格校准的光电流相移测试,a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰,可能是双占据悬挂键D~-中心引起的。光照引起浅态减小,深态增加,引起了隙态重新分布。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:358568
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19473
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
盛殊然,孔光临,廖显伯,等. 用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布[J]. 半导体学报,1997,18(7):513.
APA 盛殊然,孔光临,廖显伯,夏传钺,&郑怀德.(1997).用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布.半导体学报,18(7),513.
MLA 盛殊然,et al."用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布".半导体学报 18.7(1997):513.
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