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| 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究 | |
王志明; 邓元明; 封松林; 吕振东; 陈宗圭; 王凤莲; 徐仲英; 郑厚植; 高--; 韩培德 ; 段晓峰
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| 1997 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 18Issue:7Pages:550 |
| Abstract | 报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所;中科院北京电子显微镜实验室 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:358575 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:7[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19469 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王志明,邓元明,封松林,等. 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究[J]. 半导体学报,1997,18(7):550. |
| APA | 王志明.,邓元明.,封松林.,吕振东.,陈宗圭.,...&段晓峰.(1997).自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究.半导体学报,18(7),550. |
| MLA | 王志明,et al."自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究".半导体学报 18.7(1997):550. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5823.pdf（528KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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