流体静压下研究电场畴的形成机制

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	流体静压下研究电场畴的形成机制
	孙宝权; 刘振兴; 江德生
	1997
Source Publication	半导体学报
Volume	18 Issue:7 Pages:554
Abstract	利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中电场畴的形成机制。对于第一个电流类平台区域，观察到两种级联菜振隧穿过程，即当p≤2kbar时，高场畴为Г-Г级联共振隧穿过程，而当p>2kbar时，高场畴为Г-X级联共振隧穿过程。对于第二个电流类平台区域，高场畴常压下为Г-X级联共振隧穿。
metadata_83	中科院半导体所;中科院物理所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:358576
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19467
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	孙宝权,刘振兴,江德生. 流体静压下研究电场畴的形成机制[J]. 半导体学报,1997,18(7):554.
APA	孙宝权,刘振兴,&江德生.(1997).流体静压下研究电场畴的形成机制.半导体学报,18(7),554.
MLA	孙宝权,et al."流体静压下研究电场畴的形成机制".半导体学报 18.7(1997):554.

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