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MBE生长应变Si(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算 | |
司俊杰; 杨沁清; 王启明 | |
1997 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 18Issue:8Pages:561 |
Abstract | 根据MBE实际生长条件,采用在应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数,用生长过程的移动边界条件,求解了Ge在Si_(1-x)Ge_x/Si MQW中的扩散方程,模拟出了MQW的畸变,指出了这种畸变具有固定的不对称性,并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW畸变。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:358578 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19463 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 司俊杰,杨沁清,王启明. MBE生长应变Si(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算[J]. 半导体学报,1997,18(8):561. |
APA | 司俊杰,杨沁清,&王启明.(1997).MBE生长应变Si(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算.半导体学报,18(8),561. |
MLA | 司俊杰,et al."MBE生长应变Si(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算".半导体学报 18.8(1997):561. |
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