MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算
	司俊杰; 杨沁清; 王启明
	1997
Source Publication	半导体学报
Volume	18 Issue:8 Pages:561
Abstract	根据MBE实际生长条件，采用在应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si_(1-x)Ge_x/Si MQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW畸变。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:358578
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19463
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	司俊杰,杨沁清,王启明. MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算[J]. 半导体学报,1997,18(8):561.
APA	司俊杰,杨沁清,&王启明.(1997).MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算.半导体学报,18(8),561.
MLA	司俊杰,et al."MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算".半导体学报 18.8(1997):561.

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