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硅双极晶体管的低温h_(FE) | |
薄仕群; 林兆军 | |
1997 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 18Issue:6Pages:454 |
Abstract | 低温下h_(FE)主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M。影响γ的是禁带收缩和基区费米能级。M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定,并且这是一种自抑制效应。以上观点与实验结果基本相符合。 |
metadata_83 | 河北大学电子系;中科院半导体所 |
Subject Area | 微电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:358581 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19461 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 薄仕群,林兆军. 硅双极晶体管的低温h_(FE)[J]. 半导体学报,1997,18(6):454. |
APA | 薄仕群,&林兆军.(1997).硅双极晶体管的低温h_(FE).半导体学报,18(6),454. |
MLA | 薄仕群,et al."硅双极晶体管的低温h_(FE)".半导体学报 18.6(1997):454. |
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