硅双极晶体管的低温h_（FE）

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	硅双极晶体管的低温h_（FE）
	薄仕群; 林兆军
	1997
Source Publication	半导体学报
Volume	18 Issue:6 Pages:454
Abstract	低温下h_(FE)主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M。影响γ的是禁带收缩和基区费米能级。M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应。以上观点与实验结果基本相符合。
metadata_83	河北大学电子系;中科院半导体所
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:358581
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19461
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	薄仕群,林兆军. 硅双极晶体管的低温h_（FE）[J]. 半导体学报,1997,18(6):454.
APA	薄仕群,&林兆军.(1997).硅双极晶体管的低温h_（FE）.半导体学报,18(6),454.
MLA	薄仕群,et al."硅双极晶体管的低温h_（FE）".半导体学报 18.6(1997):454.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库