SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性
朱东海; 王占国; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 张隽; 龚谦; 金才政; 丛立方; 胡雄伟; 韩勤; 方祖捷; 刘斌; 屠玉珍
1997
Source Publication半导体学报
Volume18Issue:5Pages:391
Abstract介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性。激光器的室温连续输出功率达到2W。在95℃高温连续工作状态下,其输出功率仍可达到500mW的水平。器件的特征温度高达185K(35 ̄85℃)及163K(85 ̄95℃)。同室温相比,器件在95℃的工作条件下,其功率输出的斜效率下降了23%。
metadata_83中科院半导体所;国家光电子工艺中心;中科院上海光学精密机械所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:358594
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19447
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
朱东海,王占国,梁基本,等. 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性[J]. 半导体学报,1997,18(5):391.
APA 朱东海.,王占国.,梁基本.,徐波.,朱战萍.,...&屠玉珍.(1997).高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性.半导体学报,18(5),391.
MLA 朱东海,et al."高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性".半导体学报 18.5(1997):391.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5812.pdf(155KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[朱东海]'s Articles
[王占国]'s Articles
[梁基本]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[朱东海]'s Articles
[王占国]'s Articles
[梁基本]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[朱东海]'s Articles
[王占国]'s Articles
[梁基本]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.