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低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 | |
徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 陈昌华; 何晓曦; 陈良惠![]() | |
1997 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 18Issue:5Pages:321 |
Abstract | 利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时,80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长为2000μm时是113A/cm~2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值。激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm~(-1)和84%。 |
metadata_83 | 中科院半导体所;北京工业大学电子工程系 |
Subject Area | 半导体器件 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:358604 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19439 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 徐遵图,徐俊英,杨国文,等. 低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 半导体学报,1997,18(5):321. |
APA | 徐遵图.,徐俊英.,杨国文.,张敬明.,陈昌华.,...&沈光地.(1997).低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.半导体学报,18(5),321. |
MLA | 徐遵图,et al."低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".半导体学报 18.5(1997):321. |
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