低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
	徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 陈昌华; 何晓曦; 陈良惠; 沈光地
	1997
Source Publication	半导体学报
Volume	18 Issue:5 Pages:321
Abstract	利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长为2000μm时是113A/cm~2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值。激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm~(-1)和84％。
metadata_83	中科院半导体所;北京工业大学电子工程系
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:358604
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19439
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	徐遵图,徐俊英,杨国文,等. 低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 半导体学报,1997,18(5):321.
APA	徐遵图.,徐俊英.,杨国文.,张敬明.,陈昌华.,...&沈光地.(1997).低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.半导体学报,18(5),321.
MLA	徐遵图,et al."低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".半导体学报 18.5(1997):321.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库