多量子阱空间光调制器二维列阵

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	多量子阱空间光调制器二维列阵
	陈弘达; 吴荣汉; 高文智; 陈志标; 杜云
	1997
Source Publication	半导体学报
Volume	18 Issue:5 Pages:356
Abstract	用MBE技术生长GaAs/AlGaAs多量子阱材料,研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵,对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试，并对列阵的均匀性进行了分析。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:358611
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19435
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈弘达,吴荣汉,高文智,等. 多量子阱空间光调制器二维列阵[J]. 半导体学报,1997,18(5):356.
APA	陈弘达,吴荣汉,高文智,陈志标,&杜云.(1997).多量子阱空间光调制器二维列阵.半导体学报,18(5),356.
MLA	陈弘达,et al."多量子阱空间光调制器二维列阵".半导体学报 18.5(1997):356.

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