Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
多量子阱空间光调制器二维列阵 | |
陈弘达; 吴荣汉; 高文智; 陈志标; 杜云 | |
1997 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 18Issue:5Pages:356 |
Abstract | 用MBE技术生长GaAs/AlGaAs多量子阱材料,研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵,对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试,并对列阵的均匀性进行了分析。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:358611 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19435 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈弘达,吴荣汉,高文智,等. 多量子阱空间光调制器二维列阵[J]. 半导体学报,1997,18(5):356. |
APA | 陈弘达,吴荣汉,高文智,陈志标,&杜云.(1997).多量子阱空间光调制器二维列阵.半导体学报,18(5),356. |
MLA | 陈弘达,et al."多量子阱空间光调制器二维列阵".半导体学报 18.5(1997):356. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
5806.pdf(150KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment