SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
多孔硅中的电子激发态及其光谱研究
薛舫时
1997
Source Publication半导体学报
Volume18Issue:3Pages:161
Abstract用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态.理论计算表明,随着电子能量的升高△波和г波之间产生了极强的相互耦合,形成一对强△态和强г态.这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中,从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态.在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元,得出了跃迁选择定则.强△态与г态间的跃迁几率很小,在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阱.运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:358647
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19419
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
薛舫时. 多孔硅中的电子激发态及其光谱研究[J]. 半导体学报,1997,18(3):161.
APA 薛舫时.(1997).多孔硅中的电子激发态及其光谱研究.半导体学报,18(3),161.
MLA 薛舫时."多孔硅中的电子激发态及其光谱研究".半导体学报 18.3(1997):161.
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