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| Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性 | |
| 杨沁清; 钱毅; 董文甫; 王启明; 崔堑; 黄绮; 周均铭 | |
| 1997 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Volume | 18Issue:1Pages:10 |
| Abstract | 采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％,且m≈1.1的值表明外延层的质量及对载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移. |
| metadata_83 | 中科院半导体所;中科院物理所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家863计划 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:358666 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19409 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨沁清,钱毅,董文甫,等. Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性[J]. 半导体学报,1997,18(1):10. |
| APA | 杨沁清.,钱毅.,董文甫.,王启明.,崔堑.,...&周均铭.(1997).Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性.半导体学报,18(1),10. |
| MLA | 杨沁清,et al."Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性".半导体学报 18.1(1997):10. |
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