分子束外延材料表面椭圆缺陷的研究进展

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	分子束外延材料表面椭圆缺陷的研究进展
	王红梅; 孔梅影
	1997
Source Publication	材料研究学报
Volume	11 Issue:4 Pages:337
Abstract	综述了分子束外延材料的表面缺陷的种类、特征、起因、消除方法等，介绍了可能导致椭圆缺陷产生的重要因素，如Ga小液滴、Ga的氧化物及衬底沾污等，并提出相应的改进措施。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:360993
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19405
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王红梅,孔梅影. 分子束外延材料表面椭圆缺陷的研究进展[J]. 材料研究学报,1997,11(4):337.
APA	王红梅,&孔梅影.(1997).分子束外延材料表面椭圆缺陷的研究进展.材料研究学报,11(4),337.
MLA	王红梅,et al."分子束外延材料表面椭圆缺陷的研究进展".材料研究学报 11.4(1997):337.

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