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| MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响 | |
| 曾一平; 孔梅影; 王晓亮; 朱世荣; 李灵霄; 李晋闽 | |
| 1997 | |
| Source Publication | 电子显微学报
 |
| Volume | 16Issue:4Pages:381 |
| Abstract | 采用分子束外延(MBE)技术，研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的闽值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的闽电流匠典型值为160mA/CM~2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器，闽值电流为16nA,外微分量子效率为0.4mW/mA,激射波和工为976±2nm，线性输出功率为100mW。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:365491 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19403 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 曾一平,孔梅影,王晓亮,等. MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响[J]. 电子显微学报,1997,16(4):381. |
| APA | 曾一平,孔梅影,王晓亮,朱世荣,李灵霄,&李晋闽.(1997).MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响.电子显微学报,16(4),381. |
| MLA | 曾一平,et al."MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响".电子显微学报 16.4(1997):381. |
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