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MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响 | |
曾一平; 孔梅影; 王晓亮; 朱世荣; 李灵霄; 李晋闽 | |
1997 | |
Source Publication | 电子显微学报
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Volume | 16Issue:4Pages:381 |
Abstract | 采用分子束外延(MBE)技术,研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料,并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间,将有利于降低激光器的闽值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的闽电流匠典型值为160mA/CM~2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器,闽值电流为16nA,外微分量子效率为0.4mW/mA,激射波和工为976±2nm,线性输出功率为100mW。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:365491 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19403 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 曾一平,孔梅影,王晓亮,等. MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响[J]. 电子显微学报,1997,16(4):381. |
APA | 曾一平,孔梅影,王晓亮,朱世荣,李灵霄,&李晋闽.(1997).MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响.电子显微学报,16(4),381. |
MLA | 曾一平,et al."MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响".电子显微学报 16.4(1997):381. |
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