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InAs/GaAs自组织量子电的DLTS谱 | |
杨锡震; 陈枫; 封松林 | |
1997 | |
Source Publication | 发光学报
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Volume | 18Issue:4Pages:357 |
Abstract | 将DLTS用于对InAs/GaAs QD结构样品的测量,测定了QD能级发射载流子的热激活能;获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE),QD能级存在一定程度的展宽,以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据。结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能。 |
metadata_83 | 北京师范大学物理系;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:366974 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19389 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 杨锡震,陈枫,封松林. InAs/GaAs自组织量子电的DLTS谱[J]. 发光学报,1997,18(4):357. |
APA | 杨锡震,陈枫,&封松林.(1997).InAs/GaAs自组织量子电的DLTS谱.发光学报,18(4),357. |
MLA | 杨锡震,et al."InAs/GaAs自组织量子电的DLTS谱".发光学报 18.4(1997):357. |
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