稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究
	周必忠; 雷红兵; 肖方方
	1997
Source Publication	固体电子学研究与进展
Volume	17 Issue:4 Pages:322
Abstract	用光致发光谱(PL)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和X射线衍射谱(XRD)等研究了稀土(Er)和氧(O)双离子注入GaAs和Si的发光特性和高效发光机理。测量并分析了该材料的FTIR和XRD谱;对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清。
metadata_83	厦门大学物理系;中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:371568
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19373
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	周必忠,雷红兵,肖方方. 稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究[J]. 固体电子学研究与进展,1997,17(4):322.
APA	周必忠,雷红兵,&肖方方.(1997).稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究.固体电子学研究与进展,17(4),322.
MLA	周必忠,et al."稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究".固体电子学研究与进展 17.4(1997):322.

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