SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
稀土(Er)和氧(O)双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究
周必忠; 雷红兵; 肖方方
1997
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume17Issue:4Pages:322
Abstract用光致发光谱(PL)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和X射线衍射谱(XRD)等研究了稀土(Er)和氧(O)双离子注入GaAs和Si的发光特性和高效发光机理。测量并分析了该材料的FTIR和XRD谱;对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清。
metadata_83厦门大学物理系;中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:371568
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19373
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周必忠,雷红兵,肖方方. 稀土(Er)和氧(O)双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究[J]. 固体电子学研究与进展,1997,17(4):322.
APA 周必忠,雷红兵,&肖方方.(1997).稀土(Er)和氧(O)双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究.固体电子学研究与进展,17(4),322.
MLA 周必忠,et al."稀土(Er)和氧(O)双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究".固体电子学研究与进展 17.4(1997):322.
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