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稀土(Er)和氧(O)双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究 | |
周必忠; 雷红兵; 肖方方 | |
1997 | |
Source Publication | 固体电子学研究与进展
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Volume | 17Issue:4Pages:322 |
Abstract | 用光致发光谱(PL)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和X射线衍射谱(XRD)等研究了稀土(Er)和氧(O)双离子注入GaAs和Si的发光特性和高效发光机理。测量并分析了该材料的FTIR和XRD谱;对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清。 |
metadata_83 | 厦门大学物理系;中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:371568 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19373 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 周必忠,雷红兵,肖方方. 稀土(Er)和氧(O)双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究[J]. 固体电子学研究与进展,1997,17(4):322. |
APA | 周必忠,雷红兵,&肖方方.(1997).稀土(Er)和氧(O)双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究.固体电子学研究与进展,17(4),322. |
MLA | 周必忠,et al."稀土(Er)和氧(O)双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究".固体电子学研究与进展 17.4(1997):322. |
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