SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
宋珂; 张福厚; 邢建平; 曾一平
1997
Source Publication光电子·激光
Volume8Issue:3Pages:175
Abstract采用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs/AlGaAs单量子阱和多量子阱材料。采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷,获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为778nm的激光器,最低阈值电流为30 mA,室温下线性光功率大于20 mW。
metadata_83山东工业大学电子工程系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:371831
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19369
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋珂,张福厚,邢建平,等. 分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究[J]. 光电子·激光,1997,8(3):175.
APA 宋珂,张福厚,邢建平,&曾一平.(1997).分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究.光电子·激光,8(3),175.
MLA 宋珂,et al."分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究".光电子·激光 8.3(1997):175.
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