LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性
	王志杰; 陈博; 王圩; 张济志; 朱洪亮; 周帆; 王玉田; 金才政; 马朝华
	1997
Source Publication	光子学报
Volume	26 Issue:5 Pages:418
Abstract	国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的高、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X-ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征。经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:372760
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19349
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王志杰,陈博,王圩,等. LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性[J]. 光子学报,1997,26(5):418.
APA	王志杰.,陈博.,王圩.,张济志.,朱洪亮.,...&马朝华.(1997).LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性.光子学报,26(5),418.
MLA	王志杰,et al."LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性".光子学报 26.5(1997):418.

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