LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性
	王志杰; 陈博; 王圩; 张济志; 朱洪亮; 周帆; 王玉田; 金才政; 马朝华
	1997
Source Publication	光子学报
Volume	26 Issue:5 Pages:418
Abstract	国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的高、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X-ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征。经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:372760
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19349
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王志杰,陈博,王圩,等. LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性[J]. 光子学报,1997,26(5):418.
APA	王志杰.,陈博.,王圩.,张济志.,朱洪亮.,...&马朝华.(1997).LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性.光子学报,26(5),418.
MLA	王志杰,et al."LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性".光子学报 26.5(1997):418.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库