SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应
王志明; 吕振东; 封松林; 赵谦; 李树英; 吉秀英; 陈宗圭; 徐仲英; 郑厚植
1997
Source Publication红外与毫米波学报
Volume16Issue:6Pages:455
Abstract通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应,发现它和应变量子阱结构退火效应相类似,InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强,量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错,其中的应变得到释放,互扩散现象就不明显了,退火体面向于产生更多的位错,量子点的发峰位置不变,但强度减弱。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:375707
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19347
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王志明,吕振东,封松林,等. 自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(6):455.
APA 王志明.,吕振东.,封松林.,赵谦.,李树英.,...&郑厚植.(1997).自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应.红外与毫米波学报,16(6),455.
MLA 王志明,et al."自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应".红外与毫米波学报 16.6(1997):455.
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