SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究
王志明; 吕振东; 封松林; 杨小平; 陈宗圭; 徐仲英; 郑厚植; 王凤莲; 高--; 韩培德; 段晓峰
1997
Source Publication红外与毫米波学报
Volume16Issue:5Pages:335
Abstract报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后,引入不同时间的停顿,然后再淀积GaAs盖层,将导一致InAs岛光致发光峰蓝移,发光谱线变宽,同时发光强度减弱。透射电子显微镜分析表明在这种结构中出了失配位错,在其附近应变得到部分弛豫,成为InAs材料的俘获陷阱。随着停顿时间加长,InAs岛密度降低,尺寸变小,光致发光谱发生相应变化。
metadata_83中科院半导体所;北京电子显微镜开放实验室
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:375710
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19345
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王志明,吕振东,封松林,等. 自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(5):335.
APA 王志明.,吕振东.,封松林.,杨小平.,陈宗圭.,...&段晓峰.(1997).自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究.红外与毫米波学报,16(5),335.
MLA 王志明,et al."自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究".红外与毫米波学报 16.5(1997):335.
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