SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟
张兴宏; 杨玉芬; 王占国
1997
Source Publication红外与毫米波学报
Volume16Issue:3Pages:226
Abstract建立了高电子迁移晶体管(HEMT)的二维数值模型,并用二维数值模拟的方法讨论了AlGaAs/GaAs HEMT中的GaAs沟道层量子阱中二维电子气的物理性质。通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场。模拟结果表明栅电压的改变对HEMT器件跨导产生很大的影响。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:375737
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19339
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张兴宏,杨玉芬,王占国. 毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(3):226.
APA 张兴宏,杨玉芬,&王占国.(1997).毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟.红外与毫米波学报,16(3),226.
MLA 张兴宏,et al."毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟".红外与毫米波学报 16.3(1997):226.
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