InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒
	陈枫; 封松林; 杨锡震; 王志明; 汪辉; 邓元明
	1997
Source Publication	红外与毫米波学报
Volume	16 Issue:4 Pages:241
Abstract	成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质，获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为0.32eV。
metadata_83	中科院半导体所;北京师范大学物理系
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:375740
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19337
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈枫,封松林,杨锡震,等. InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(4):241.
APA	陈枫,封松林,杨锡震,王志明,汪辉,&邓元明.(1997).InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒.红外与毫米波学报,16(4),241.
MLA	陈枫,et al."InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒".红外与毫米波学报 16.4(1997):241.

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