InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒
	陈枫; 封松林; 杨锡震; 王志明; 汪辉; 邓元明
	1997
Source Publication	红外与毫米波学报
Volume	16 Issue:4 Pages:241
Abstract	成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质，获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为0.32eV。
metadata_83	中科院半导体所;北京师范大学物理系
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:375740
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:3[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19337
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈枫,封松林,杨锡震,等. InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(4):241.
APA	陈枫,封松林,杨锡震,王志明,汪辉,&邓元明.(1997).InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒.红外与毫米波学报,16(4),241.
MLA	陈枫,et al."InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒".红外与毫米波学报 16.4(1997):241.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库