Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒 | |
陈枫; 封松林; 杨锡震; 王志明; 汪辉; 邓元明 | |
1997 | |
Source Publication | 红外与毫米波学报
![]() |
Volume | 16Issue:4Pages:241 |
Abstract | 成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质,获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV,该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫,对应俘获势垒为0.32eV。 |
metadata_83 | 中科院半导体所;北京师范大学物理系 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:375740 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19337 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈枫,封松林,杨锡震,等. InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(4):241. |
APA | 陈枫,封松林,杨锡震,王志明,汪辉,&邓元明.(1997).InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒.红外与毫米波学报,16(4),241. |
MLA | 陈枫,et al."InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒".红外与毫米波学报 16.4(1997):241. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
5756.pdf(322KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment