SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究
牛智川; 周增圻; 林耀望; 李新峰; 张益; 胡雄伟; 吕振东; 袁之良; 徐仲英
1997
Source Publication物理学报
Volume46Issue:5Pages:969
Abstract提出了新型InGaAs/GaAs应变脊形量子线结构.这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层In组分的变化,以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形的横向量子限制效应的综合作用.在非平面GaAs衬底上用分子束外延生长了侧面取向为(113)的脊形AlAs/InGaAs/AlAs应变量子线.用10K光致荧光谱测试了其发光性质.用Kronig-Penney模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应,发现其光致荧光谱峰位的测试结果,与计算结果相比,有10meV的"蓝移".认为这一跃迁能量的"蓝移"是上述三方面横向量子限制效应综合作用的结果.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:398801
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:4[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19319
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
牛智川,周增圻,林耀望,等. InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究[J]. 物理学报,1997,46(5):969.
APA 牛智川.,周增圻.,林耀望.,李新峰.,张益.,...&徐仲英.(1997).InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究.物理学报,46(5),969.
MLA 牛智川,et al."InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究".物理学报 46.5(1997):969.
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