SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用推广的平面波展开展法检验平面内极化的电子子带跃迁
张满红; 朱邦芬; 黄绮; 王文新; 周均铭
1997
Source Publication物理学报
Volume46Issue:2Pages:393
Abstract把平面波展开包络函数的方法推广到求解8带的哈密顿量,使它同时包括Г~c_1和Г~v_(15).在这种方法里,可以考虑反演不对称性、能带的非抛物性、有效质量不连续性以及 自旋-轨道耦合等效应的影响.作为应用,计算了两个量子阱结构的子带和光跃迁概率.实验上在这两个结构中观察到了平面内极化的电子子带跃迁.计算表明这种跃迁的概率很小.实验上观察到的平面内极化的电子子带吸收可能有其他的机制.
metadata_83中科院物理所;中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:398865
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19317
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张满红,朱邦芬,黄绮,等. 用推广的平面波展开展法检验平面内极化的电子子带跃迁[J]. 物理学报,1997,46(2):393.
APA 张满红,朱邦芬,黄绮,王文新,&周均铭.(1997).用推广的平面波展开展法检验平面内极化的电子子带跃迁.物理学报,46(2),393.
MLA 张满红,et al."用推广的平面波展开展法检验平面内极化的电子子带跃迁".物理学报 46.2(1997):393.
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