SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极光电转换性能的研究
刘尧; 肖绪瑞; 曾一平; 阎春辉; 郑海群; 孙殿照
1997
Source Publication中国科学. A辑,数学
Volume27Issue:3Pages:270
Abstract研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极.
metadata_83中科院感光化学所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19303
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘尧,肖绪瑞,曾一平,等. 晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极光电转换性能的研究[J]. 中国科学. A辑,数学,1997,27(3):270.
APA 刘尧,肖绪瑞,曾一平,阎春辉,郑海群,&孙殿照.(1997).晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极光电转换性能的研究.中国科学. A辑,数学,27(3),270.
MLA 刘尧,et al."晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极光电转换性能的研究".中国科学. A辑,数学 27.3(1997):270.
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