SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡
武建青; 江德生; 孙宝权
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:10Pages:788
Abstract在GaAs/AlAs(10nm/2n,)弱耦合掺杂超晶格I-V曲线的第一个平台上,首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡。观测到的最高振荡频率可达142MHz。这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围14~300K内始终存在。经 分析发现,由于垒怪公有2nm,电子隧穿通过垒层的几率很高,相比之下,电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多。在温度低于300K时,超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿。这是室温仍然能观测到自维持振荡的主要原因,由于实现振荡所施加的偏压比较低(在室温下偏压范围大约为0.5~2V),有利于抑制室温下通过X谷的热离子发射电流。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423539
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19289
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
武建青,江德生,孙宝权. GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡[J]. 半导体学报,1998,19(10):788.
APA 武建青,江德生,&孙宝权.(1998).GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡.半导体学报,19(10),788.
MLA 武建青,et al."GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡".半导体学报 19.10(1998):788.
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