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1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器 | |
陈博; 王圩![]() ![]() | |
1998 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 19Issue:10Pages:793 |
Abstract | 在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μm InGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器,器件采用全MOVPE生长,阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体器件 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:423540 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19287 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈博,王圩,张静媛,等. 1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器[J]. 半导体学报,1998,19(10):793. |
APA | 陈博.,王圩.,张静媛.,汪孝杰.,周帆.,...&马朝华.(1998).1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器.半导体学报,19(10),793. |
MLA | 陈博,et al."1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器".半导体学报 19.10(1998):793. |
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