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分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究 | |
江德生![]() | |
1998 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 19Issue:9Pages:707 |
Abstract | 对从GaAs衬底剥离下来的低温下分子束外延生长的GaAs(LTG-GaAs)薄膜进行了喇曼光谱测量,研究了不同温度下生长的LTG-GaAs在退火前后晶体完整性的变化。首次观测到了190℃生长样品中As沉淀物所引起的喇曼峰,并证明800℃快速热退火30秒后产生的As沉淀物是无定形As。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:423545 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19285 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 江德生,李学平,孙宝权,等. 分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究[J]. 半导体学报,1998,19(9):707. |
APA | 江德生,李学平,孙宝权,&韩和相.(1998).分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究.半导体学报,19(9),707. |
MLA | 江德生,et al."分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究".半导体学报 19.9(1998):707. |
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