SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究
江德生; 李学平; 孙宝权; 韩和相
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:9Pages:707
Abstract对从GaAs衬底剥离下来的低温下分子束外延生长的GaAs(LTG-GaAs)薄膜进行了喇曼光谱测量,研究了不同温度下生长的LTG-GaAs在退火前后晶体完整性的变化。首次观测到了190℃生长样品中As沉淀物所引起的喇曼峰,并证明800℃快速热退火30秒后产生的As沉淀物是无定形As。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423545
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19285
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
江德生,李学平,孙宝权,等. 分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究[J]. 半导体学报,1998,19(9):707.
APA 江德生,李学平,孙宝权,&韩和相.(1998).分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究.半导体学报,19(9),707.
MLA 江德生,et al."分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究".半导体学报 19.9(1998):707.
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