分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究
	江德生; 李学平; 孙宝权; 韩和相
	1998
Source Publication	半导体学报
Volume	19 Issue:9 Pages:707
Abstract	对从GaAs衬底剥离下来的低温下分子束外延生长的GaAs(LTG-GaAs)薄膜进行了喇曼光谱测量，研究了不同温度下生长的LTG-GaAs在退火前后晶体完整性的变化。首次观测到了190℃生长样品中As沉淀物所引起的喇曼峰，并证明800℃快速热退火30秒后产生的As沉淀物是无定形As。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:423545
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19285
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	江德生,李学平,孙宝权,等. 分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究[J]. 半导体学报,1998,19(9):707.
APA	江德生,李学平,孙宝权,&韩和相.(1998).分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究.半导体学报,19(9),707.
MLA	江德生,et al."分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究".半导体学报 19.9(1998):707.

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