Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管 | |
王国宏; 马骁宇; 曹青; 张玉芳; 王树堂; 李玉璋; 陈良惠![]() | |
1998 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 19Issue:9Pages:712 |
Abstract | 利用LP-MOCVD外延生长AlGaInP DH 结构橙黄色发光二极管。引入厚层Al_(0.7)Ga_(0.3)As电流扩展层和Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器(KBR)。20mA工作条件下,工作电压1.9V,发光波长峰值在605nm,峰值半宽为18.3nm,管芯平均亮度达到20mcd,最大29.4mcd,透明封装成视角(2θ_(1/2)15°的LED灯亮度达到1cd。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体器件 |
Funding Organization | 国家863计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:423546 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19283 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王国宏,马骁宇,曹青,等. LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管[J]. 半导体学报,1998,19(9):712. |
APA | 王国宏.,马骁宇.,曹青.,张玉芳.,王树堂.,...&陈良惠.(1998).LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管.半导体学报,19(9),712. |
MLA | 王国宏,et al."LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管".半导体学报 19.9(1998):712. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
5725.pdf(240KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment