LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管
	王国宏; 马骁宇; 曹青; 张玉芳; 王树堂; 李玉璋; 陈良惠
	1998
Source Publication	半导体学报
Volume	19 Issue:9 Pages:712
Abstract	利用LP-MOCVD外延生长AlGaInP DH 结构橙黄色发光二极管。引入厚层Al_(0.7)Ga_(0.3)As电流扩展层和Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器(KBR)。20mA工作条件下，工作电压1.9V,发光波长峰值在605nm,峰值半宽为18.3nm,管芯平均亮度达到20mcd,最大29.4mcd,透明封装成视角(2θ_(1/2)15°的LED灯亮度达到1cd。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体器件
Funding Organization	国家863计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:423546
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19283
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王国宏,马骁宇,曹青,等. LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管[J]. 半导体学报,1998,19(9):712.
APA	王国宏.,马骁宇.,曹青.,张玉芳.,王树堂.,...&陈良惠.(1998).LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管.半导体学报,19(9),712.
MLA	王国宏,et al."LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管".半导体学报 19.9(1998):712.

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