SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究
刘键; 王佩璇; 柯俊; 朱沛然; 杨峰; 殷士端
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:9Pages:672
Abstract用沟道RBS方法研究了中子辐照GaAs的缺陷在快速退火过程中的恢复行为。结果表明,在10~(14)~10~(17)/cm~2范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长。中子辐照效应对ψ_(1/2)没有影响。经一定剂量辐照后,退火温度越高,退火时间越长,离位原子的恢复效果越明显。10~(15)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_1 approx=0.23eV,可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合;而10~(17)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_2 approx=0.13eV,对应空位与其附近的填隙原子的复合。
metadata_83北京科技大学材料物理系;中科院物理所;中科院半导体所
Subject Area半导体化学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423556
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19277
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘键,王佩璇,柯俊,等. 中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究[J]. 半导体学报,1998,19(9):672.
APA 刘键,王佩璇,柯俊,朱沛然,杨峰,&殷士端.(1998).中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究.半导体学报,19(9),672.
MLA 刘键,et al."中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究".半导体学报 19.9(1998):672.
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