SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究
王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 张剑平; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:12Pages:890
Abstract用NH_3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al_2O_3衬底上生长非有意掺杂的单晶GaN外延膜,GaN膜呈N型导电,室温时的最高迁移率约为120cm~2/(V·s),相应的非有意掺杂电子浓度为9.1×10~(17)cm~(-3)。对一些GaN膜进行了变温Hall测试,通过电阻率、背景电子浓度以及Hall迁移随温度的变化研究了GaN外延膜的导电机理。结果表明,当温度较低时,以电子在施主中心之间的输运导电为主;当温度较高时,以导带中的自由电子导电为主。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家九五计划,中国博士后基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423564
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:4[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19269
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王晓亮,孙殿照,孔梅影,等. GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究[J]. 半导体学报,1998,19(12):890.
APA 王晓亮.,孙殿照.,孔梅影.,张剑平.,曾一平.,...&林兰英.(1998).GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究.半导体学报,19(12),890.
MLA 王晓亮,et al."GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究".半导体学报 19.12(1998):890.
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