GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究
	刘学锋; 刘金平; 李建平; 李灵霄; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英
	1998
Source Publication	半导体学报
Volume	19 Issue:12 Pages:896
Abstract	用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×10~(16)～4.0×10~(19)cm~(-3)及1.0×10~(17)～2.0×10~(19)cm~(-3),基于对n型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，用Klaassen模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响。此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，N、P型杂质浓度纵向分布较为均匀，无明显的偏析现象。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家九五计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:423565
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19267
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘学锋,刘金平,李建平,等. GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究[J]. 半导体学报,1998,19(12):896.
APA	刘学锋.,刘金平.,李建平.,李灵霄.,孙殿照.,...&林兰英.(1998).GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究.半导体学报,19(12),896.
MLA	刘学锋,et al."GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究".半导体学报 19.12(1998):896.

Files in This Item:
File Name/Size	DocType	Version	Access	License
5717.pdf（362KB）			限制开放	--	Application Full Text

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库