SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响
司俊杰; 杨沁清; 王红杰; 雷红兵; 滕达; 王启明; 刘学锋; 李建民
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:6Pages:477
Abstract对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理,研究了其在低温下的光致发光(PL)特性。发现存在一个最佳退火温度范围,使得PL谱的发光得到改善。随着退火温度的继续提高,PL谱线发生兰移,发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了此结论。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423595
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19257
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
司俊杰,杨沁清,王红杰,等. 不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响[J]. 半导体学报,1998,19(6):477.
APA 司俊杰.,杨沁清.,王红杰.,雷红兵.,滕达.,...&李建民.(1998).不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响.半导体学报,19(6),477.
MLA 司俊杰,et al."不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响".半导体学报 19.6(1998):477.
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