Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究 | |
雷红兵; 杨沁清; 王启明; 周必忠; 肖方方; 吴名枋 | |
1998 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 19Issue:5Pages:332 |
Abstract | 详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱,有5个发光峰分别位于1.536μm、1.554μ、1.570μm、1.598μ和1.640μm,其中1.536μm发光峰最强。结合背散射谱,认为其有效的发光中心为处于T_d对称中心的填隙铒Er~(3+)离子。在Er与O、N、C共掺样品应分别存在Er-O、Er-N和Er-C发光中心,其对应的PL发光峰分别为1.570μm、1.536μm和1.608μm。 |
metadata_83 | 中科院半导体所;厦门大学物理系;北京大学技术物理系 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:423608 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19245 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 雷红兵,杨沁清,王启明,等. 离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究[J]. 半导体学报,1998,19(5):332. |
APA | 雷红兵,杨沁清,王启明,周必忠,肖方方,&吴名枋.(1998).离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究.半导体学报,19(5),332. |
MLA | 雷红兵,et al."离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究".半导体学报 19.5(1998):332. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
5706.pdf(304KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment