SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究
雷红兵; 杨沁清; 王启明; 周必忠; 肖方方; 吴名枋
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:5Pages:332
Abstract详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱,有5个发光峰分别位于1.536μm、1.554μ、1.570μm、1.598μ和1.640μm,其中1.536μm发光峰最强。结合背散射谱,认为其有效的发光中心为处于T_d对称中心的填隙铒Er~(3+)离子。在Er与O、N、C共掺样品应分别存在Er-O、Er-N和Er-C发光中心,其对应的PL发光峰分别为1.570μm、1.536μm和1.608μm。
metadata_83中科院半导体所;厦门大学物理系;北京大学技术物理系
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423608
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19245
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
雷红兵,杨沁清,王启明,等. 离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究[J]. 半导体学报,1998,19(5):332.
APA 雷红兵,杨沁清,王启明,周必忠,肖方方,&吴名枋.(1998).离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究.半导体学报,19(5),332.
MLA 雷红兵,et al."离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究".半导体学报 19.5(1998):332.
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