SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整
吴荣汉; 陈志标; 陈弘达; 高文智; 赵军
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:5Pages:341
Abstract计算了不同折射率膜层下,非对称法布里珀罗腔模式波长随膜层厚度的变化。分析了在膜层折射率较低时,模式波长随层厚的增加反而减小的机理,并在实验中研究这种现象。利用湿腐蚀的方法移动模式波长,补偿由生长误差引入的模式波长偏差,从而做到模式波长可控,获得高消光比的器件。同时利用湿法腐蚀方法将模式波长调整到不同位置,测量了不同模式波长位置时器件的调制特性。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423610
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19243
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
吴荣汉,陈志标,陈弘达,等. 多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整[J]. 半导体学报,1998,19(5):341.
APA 吴荣汉,陈志标,陈弘达,高文智,&赵军.(1998).多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整.半导体学报,19(5),341.
MLA 吴荣汉,et al."多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整".半导体学报 19.5(1998):341.
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