含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱
	王文利; 姬扬; 郑厚植
	1998
Source Publication	半导体学报
Volume	19 Issue:5 Pages:385
Abstract	从基本的光跃迁理论出发，用半经典的线性色散模型，计算了双量子阱耦合情况下微腔透射谱。计算结果表明，当吸收系数取2×10~(-2)nm~(-1)时，在微腔的透射谱上能看到三个很高的透射峰，并且峰的线宽要窄于冷腔透射峰的线宽。这是由于耦合激子态与微腔光场的强耦合相互作用引起的。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:423617
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19241
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王文利,姬扬,郑厚植. 含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱[J]. 半导体学报,1998,19(5):385.
APA	王文利,姬扬,&郑厚植.(1998).含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱.半导体学报,19(5),385.
MLA	王文利,et al."含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱".半导体学报 19.5(1998):385.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库