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含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱 | |
王文利; 姬扬; 郑厚植 | |
1998 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 19Issue:5Pages:385 |
Abstract | 从基本的光跃迁理论出发,用半经典的线性色散模型,计算了双量子阱耦合情况下微腔透射谱。计算结果表明,当吸收系数取2×10~(-2)nm~(-1)时,在微腔的透射谱上能看到三个很高的透射峰,并且峰的线宽要窄于冷腔透射峰的线宽。这是由于耦合激子态与微腔光场的强耦合相互作用引起的。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:423617 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics |
Cited Times:1[CSCD]
[CSCD Record]
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Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19241 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王文利,姬扬,郑厚植. 含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱[J]. 半导体学报,1998,19(5):385. |
APA | 王文利,姬扬,&郑厚植.(1998).含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱.半导体学报,19(5),385. |
MLA | 王文利,et al."含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱".半导体学报 19.5(1998):385. |
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