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| 气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究 | |
| 刘学锋; 刘金平; 李建平; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英 | |
| 1998 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Volume | 19Issue:5Pages:389 |
| Abstract | 用气态源分子束外延(GSMBE)法研究了Ge_xSi_(1-x)合金的低温(≤500℃)生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。在恒定的乙硅烷流量(4sccm)Ge源炉温度(1200℃)下，合金中的Ge组分x随衬底温度的降低而升高；另一方面，当衬底温度(500℃)和乙硅烷流度升高到一定值以上时，x值不再随Ge源炉温度的升高而增大,而趋向于饱和在0.45附近。基于乙硅烷及H原子在Si原子和Ge原子表面上不同的吸附和脱附过程，定性地解释了上述生长动力学现象。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家八五计划 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:423618 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19239 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘学锋,刘金平,李建平,等. 气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究[J]. 半导体学报,1998,19(5):389. |
| APA | 刘学锋,刘金平,李建平,孙殿照,孔梅影,&林兰英.(1998).气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究.半导体学报,19(5),389. |
| MLA | 刘学锋,et al."气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究".半导体学报 19.5(1998):389. |
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