SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究
刘学锋; 刘金平; 李建平; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:5Pages:389
Abstract用气态源分子束外延(GSMBE)法研究了Ge_xSi_(1-x)合金的低温(≤500℃)生长动力学问题,所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。在恒定的乙硅烷流量(4sccm)Ge源炉温度(1200℃)下,合金中的Ge组分x随衬底温度的降低而升高;另一方面,当衬底温度(500℃)和乙硅烷流度升高到一定值以上时,x值不再随Ge源炉温度的升高而增大,而趋向于饱和在0.45附近。基于乙硅烷及H原子在Si原子和Ge原子表面上不同的吸附和脱附过程,定性地解释了上述生长动力学现象。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家八五计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423618
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19239
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
刘学锋,刘金平,李建平,等. 气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究[J]. 半导体学报,1998,19(5):389.
APA 刘学锋,刘金平,李建平,孙殿照,孔梅影,&林兰英.(1998).气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究.半导体学报,19(5),389.
MLA 刘学锋,et al."气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究".半导体学报 19.5(1998):389.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5703.pdf(201KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[刘学锋]'s Articles
[刘金平]'s Articles
[李建平]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[刘学锋]'s Articles
[刘金平]'s Articles
[李建平]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[刘学锋]'s Articles
[刘金平]'s Articles
[李建平]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.