SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量
王玉田; 陈诺夫; 何宏家; 林兰英
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:4Pages:267
Abstract利用X射线双晶衍射Bond方法,精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数。建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型,在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因。并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系,实现了化学配比的无损测量。这对于GaAs单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423621
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19237
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王玉田,陈诺夫,何宏家,等. 半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量[J]. 半导体学报,1998,19(4):267.
APA 王玉田,陈诺夫,何宏家,&林兰英.(1998).半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量.半导体学报,19(4),267.
MLA 王玉田,et al."半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量".半导体学报 19.4(1998):267.
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