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三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化 | |
牛智川![]() ![]() | |
1998 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 19Issue:4Pages:311 |
Abstract | 报道了在腐蚀图形的(311)A衬底上,一种新型三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化研究.原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域,MBE选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构,其尖角沿[2-33]方向,收缩面由对称的{111}A面构成。低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明 |
metadata_83 | 中科院半导体所;Paul Drude Institut fur Festkorperelek tronik |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:423628 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19235 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 牛智川,周增圻,韩勤,等. 三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化[J]. 半导体学报,1998,19(4):311. |
APA | 牛智川.,周增圻.,韩勤.,吴荣汉.,Notzel R.,...&Ploog K H.(1998).三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化.半导体学报,19(4),311. |
MLA | 牛智川,et al."三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化".半导体学报 19.4(1998):311. |
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