SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究
赵谦; 封松林; 王志明
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:2Pages:158
Abstract报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明,在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后,通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长2单原子层InAs后形成了量子点。SPM与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释,该研究工作的进一步深入将对自组织生长量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,国家攀登计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423648
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19221
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵谦,封松林,王志明. 扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究[J]. 半导体学报,1998,19(2):158.
APA 赵谦,封松林,&王志明.(1998).扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究.半导体学报,19(2),158.
MLA 赵谦,et al."扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究".半导体学报 19.2(1998):158.
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