SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅中层错带中空位的电子态
王永良; Marklund S
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:3Pages:161
Abstract计算了硅中带状层错中的空位电子态,所使用的Recursion方法是建立在原子轨道线性组合法的基础上,考虑了s~-p~-,d~-型十个原子轨道。用Lanczos法得到了带隙及带连续态中的电子态,局域态密度是用连续连分数来表示的,硅中理想空位的三重简并态分裂为三个能级。从价态顶算起,它们的能量分别为-0.3,0.3,1.7eV。价带顶之上0.3eV的带隙态同纯层错中发现的电子态相似,但局域态密度要高一些。价带顶之上1.7eV的在导带中的电子态是一个强共振态。价带顶之下0.3eV的价带中的电子态则是一个弱共振态。
metadata_83中科院半导体所;瑞典Lules大学
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423649
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19219
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王永良,Marklund S. 硅中层错带中空位的电子态[J]. 半导体学报,1998,19(3):161.
APA 王永良,&Marklund S.(1998).硅中层错带中空位的电子态.半导体学报,19(3),161.
MLA 王永良,et al."硅中层错带中空位的电子态".半导体学报 19.3(1998):161.
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